用途

适用于制备导电薄膜，半导体薄膜、

铁电薄膜、光学薄膜，高性能薄膜研究

及新材料科学研究工作。其主要特点

镀膜质量稳定、重复性好、

操作简便。

主要技术参数

1、镀膜室体积：500×500×600mm3，特殊规格可定做；

2、极限真空度：6.7×10-5 Pa，恢复真空：从大气抽至6.7×10-4 Pa ≤（40分钟）；

3、真空抽气系统：机械泵与复合分子泵组成；真空测量系统：复合数显真空计；

4、蒸发源：电子束蒸发源：270°E型电子枪及高压电源，电子枪功率0～6KW可调；

               电阻蒸发源：铜水冷电极4根，功率：3kW/10V两组；

5、结构形式：立式前开门后置抽气系统；

6、工件烘烤温度：室温～800℃可控可调（PID控温）；

7、旋转夹具：公转或行星公自转夹具。速度从 0r～30r/min 无级可调；

8、选配件：光学膜厚测量系统、石英晶振测厚仪、高压离子轰击、霍尔离子源、冷却水机组等；

9、供电电源：三相AC380V，50Hz；整机功率22KW。