可开设的实验

1、掌握射频磁控溅射法制膜的基本原理；

2、了解磁控溅射镀膜仪的操作过程及使用范围；

3、磁控溅射法制备金属膜、半导体膜、化合物膜、介质膜等薄膜。

主要技术参数

    1、溅射镀膜室：由不锈钢底与玻璃钟罩组成；有效尺寸：Φ220×H230mm3；

    2、溅射镀膜室本底真空：≤1Pa；溅射腔极限真空：6×10-1Pa；

    3、溅射靶：Φ50mm，溅射靶台和溅射靶可调距离：20～60mm；

    4、基片加热温度可控范围：室温～300℃；

5、射频源功率：500W，13.56MHz；

6、气路系统：由两路转子流量计控制（可选配质量流量计）；

    7、真空系统：2XZ-4型旋片真空泵，抽气速率：4L/S，单相220V交流电源供电；

    8、对过流过压、断路等异常情况进行报警，并执行相应保护措施；

    9、供电电源：AC220V，50Hz，整机功率2KW。